Harga Ponsel Samsung, Xiaomi hingga Apple Berpotensi Naik Tahun Depan

Samsung Electronics Co juga mengumumkan telah memulai produksi massal semikonduktor 3-nanometer. Cip 3nm generasi terbaru ini dibangun di atas teknologi Gate-All-Around (GAA).

Menurut Samsung, teknologi itu memungkinkan pengurangan ruang terpakai hingga 35% dan membuat kinerja ponsel 30% lebih cepat. “Serta, konsumsi daya 50% lebih rendah, dibandingkan dengan FinFET,” kata Samsung dikutip dari Yonhap, Kamis (30/6).

Kemajuan dalam teknologi pembuatan cip yang canggih diharapkan memperbanyak jumlah pelanggan semikonduktor Samsung.

“Kami berkembang pesat karena terus menunjukkan kepemimpinan dalam menerapkan teknologi generasi berikutnya untuk manufaktur," kata president and head of Samsung's foundry business Choi Si-young.

"Kami akan terus mengembangkan teknologi inovatif dan bekerja untuk mengamankan proses teknologi yang matang dengan cepat," tambah dia.

Samsung akan bersaing dengan TSMC dalam memproduksi cip 3nm.

Menurut TrendForce, TSMC menguasai 53,5% pasar semikonduktor global pada kuartal pertama. Sedangkan Samsung 16,3%.